Gestión vertical del poder del convertidor del transistor de efecto de campo del MOS de la estructura DC/DC

Gestión vertical del poder del convertidor del transistor de efecto de campo del MOS de la estructura DC/DC

Tipos del MOSFET del poder

Dentro de la arena total de los MOSFETs del poder, hay varias tecnologías específicas que han sido desarrolladas y alocución por diversos fabricantes. Utilizan varias diversas técnicas que permitan a los MOSFETs del poder llevar la corriente y manejar los niveles de poder más eficientemente. Como mencionado ya incorporan a menudo una forma de vertical estructure

Los diversos tipos de MOSFET del poder tienen diversas cualidades y por lo tanto se pueden adaptar particularmente para los usos dados.

• MOSFET planar del poder: Ésta es la forma básica de MOSFET del poder. Es bueno para los grados de alto voltaje porque ENCENDIDO la resistencia es dominada por la resistencia de la epi-capa. Esta estructura se utiliza generalmente cuando una alta densidad de célula no es necesaria.
• VMOS: Los MOSFETs del poder de VMOS han estado disponibles durante muchos años. El concepto básico utiliza una estructura del surco de V para permitir un flujo más vertical de la corriente, de tal modo proporcionando más bajo EN niveles de resistencia y mejores características de la transferencia. Aunque estén utilizados para la transferencia del poder, puedan también ser utilizados para los pequeños amplificadores de potencia de alta frecuencia del RF.
• UMOS: La versión de UMOS del MOSFET del poder utiliza una arboleda similar a ésa el FET de VMOS. Sin embargo la arboleda tiene una parte inferior más plana a ella y proporciona algunas diversas ventajas.
• HEXFET: Esta forma de MOSFET del poder utiliza una estructura hexagonal para proporcionar la capacidad actual.
• TrenchMOS: El MOSFET del poder de TrenchMOS utiliza otra vez una arboleda o un foso básica similar en el silicio básico para proporcionar capacidad y características mejor de dirección. Particularmente, los MOSFETs del poder del foso se utilizan principalmente para los voltajes sobre 200 voltios debido a su densidad del canal y por lo tanto su más bajo EN resistencia.

Característica

-40V/-50A
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 9.1mΩ GS = -10V
R DS (ENCENDIDO) = (tipo.) @V 12mΩ GS = -4.5V
avalancha 100% probada
Confiable y rugoso
Halógeno libre y dispositivos verdes disponibles
(RoHS obediente)

Información que ordena y de marcado

D U V

G110P04L G110P04L G110P04L

Código del paquete

D: TO-252-2L U: TO-251-3L V: TO-251-3S

Código de fecha

Nota: Los productos sin plomo de HUAYI contienen compuestos del moldeado/mueren los materiales de la fijación y plateTermi- de la lata del mate del 100%
Final de la nación; cuáles son completamente obedientes con RoHS. Los productos sin plomo de HUAYI resuelven o exceden el sin plomo requieren
ments de IPC/JEDEC J-STD-020 para la clasificación de MSL en la temperatura máxima sin plomo del flujo. HUAYI define “verde”
para significar sin plomo (RoHS obediente) y el halógeno libre (el Br o el Cl no excede 900ppm por peso en homogéneo
material y total del Br y del Cl no excede 1500ppm por peso).
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Grados máximos absolutos