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Datos del producto:
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| Número de modelo: | AP2302AGN-HF | Situación de RoHs:: | Sin plomo/RoHS obediente |
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| Calidad:: | nuevo original del 100% | D/C:: | El más nuevo |
| Descripción: | APEC DE AP2302AGN-HF | Tipo:: | IC |
| Alta luz: | transistor de poder 1.38W ICs,transistor de poder 20A ICs,Transistor del Mosfet del APEC de AP2302AGN-HF |
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APEC caliente especializado AP2302AGN-HF de los ICs AP2302AGN-HF
Descripción
Las series de AP2302A son de poder avanzado innovaron diseño y tecnología de proceso del silicio de alcanzar el posible más bajo en resistencia y funcionamiento que cambia rápido. Provee del diseñador un dispositivo eficiente extremo para el uso en una amplia gama de usos del poder.
El paquete especial del diseño SOT-23 con buen funcionamiento termal se prefiere extensamente para todos los usos superficiales comercial-industriales del soporte usando la técnica infrarroja del flujo y se adapta para los usos de la conversión o del interruptor del voltaje.
Ratings@Tj máximo absoluto =25oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Grado | Unidades |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 20 | V |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | +8 | V |
| ID@TA =25℃ | Drene la corriente3, VGS @ 4.5V | 4,6 | |
| ID@TA =70℃ | Drene la corriente3, VGS @ 4.5V | 3,7 | |
| IDM | Corriente pulsada1del dren | 20 | |
| PD@TA =25℃ | Disipación de poder total | 1,38 | W |
| TSTG | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | -55 a 150 | ℃ |
Datos termales
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
| Rthj-a | Resistencia termal máxima,3Empalme-ambiente | 90 | ℃/W |
AP2302AGN-H
Characteristics@Tj eléctrico =25oC (salvo especificación de lo contrario)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente | VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 20 | - | - | V |
| RDS (ENCENDIDO) |
En-resistencia estática2de la Dren-fuente |
VGS =4.5V, IDENTIFICACIÓN =4A | - | - | 42 | mΩ |
| VGS =2.5V, IDENTIFICACIÓN =3A | - | - | 60 | mΩ | ||
| VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | VDS =VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 0,3 | - | 1,2 | V |
| gfs | Transconductancia delantera | VDS =5V, IDENTIFICACIÓN =4A | - | 14 | - | S |
| IDSS | Corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS =16V, VGS =0V | - | - | 10 | UA |
| IGSS | Salida de la Puerta-fuente | VGS =+8V, VDS =0V | - | - | +100 | nA |
| Qg | Carga total2de la puerta |
IDENTIFICACIÓN =4A VDS =10V VGS =4.5V |
- | 6,5 | 10,5 | nC |
| Qgs | Carga de la Puerta-fuente | - | 1 | - | nC | |
| Qgd | Carga del Puerta-dren (“Miller”) | - | 2,5 | - | nC | |
| TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura2 |
IDENTIFICACIÓN =1A RG =3.3Ω DE VDS =10V VGS =5V |
- | 9 | - | ns |
| tr | Tiempo de subida | - | 12 | - | ns | |
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | - | 16 | - | ns | |
| tf | Tiempo de caída | - | 5 | - | ns | |
| CISS | Capacitancia entrada |
VGS =0V VDS =20V f=1.0MHz |
- | 300 | 480 | PF |
| Coss | Capacitancia de salida | - | 85 | - | PF | |
| Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | - | 80 | - | PF | |
| Rg | Resistencia de la puerta | f=1.0MHz | - | 2 | - | Ω |
Diodo del Fuente-dren
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidades |
| VSD | Remita en el voltaje2 | ES =1.2A, VGS =0V | - | - | 1,2 | V |
| trr | Tiempo de recuperación reversa2 |
ES =4A, VGS =0V, dI/dt=100A/µs |
- | 20 | - | ns |
| Qrr | Carga reversa de la recuperación | - | 10 | - | nC |
Notas:
anchura 1.Pulse limitada por temperatura de empalme máxima.
prueba 2.Pulse
3.Surface montó en 1 enel cojín de cobre2 FR4 del tablero, t<> 10s; 270℃/W cuándo montó en el cojín de cobre mínimo.
Pago:
Aceptamos las condiciones de pago: Transferencia telegráfica (T/T) por adelantado/servicio o términos netos (cooperación a largo plazo) de Paypal/de Western Union/del fideicomiso.
Podemos apoyar muchas clases de moneda, tales como USD; HKD; EUR; Los CNY y otros, nos entran en contacto con por favor.
Persona de Contacto: David
