Datos del producto:
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Temperatura de almacenamiento: | -55-150℃ | Transistor del Mosfet del poder: | Transistores de poder de la extremidad SOT-23 |
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Materiales: | silicio | Tipo: | Transistor del triodo |
Alta luz: | transistor del pnp de la extremidad,transistor del pnp del poder más elevado |
SOT-23 Plástico-encapsulan el TRANSISTOR de los transistores FMMT491 (NPN)
Transistor de transferencia
GRADOS MÁXIMOS (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad |
VCBO | Voltaje de la Colector-base | 60 | V |
VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 40 | V |
VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 6 | V |
IC | Corriente de colector | 600 | mA |
PC | Disipación de poder del colector | 300 | mW |
RΘJA | Resistencia termal del empalme a ambiente | 417 | ℃/W |
Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ |
Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~+150 | ℃ |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Ta=25℃ salvo especificación de lo contrario)
Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC=100μA, ES DECIR =0 | 60 | V | ||
voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC=1mA, IB=0 | 40 | V | ||
voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | ES DECIR =100ΜA, IC=0 | 6 | V | ||
Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB=50V, ES DECIR =0 | 0,1 | μA | ||
Corriente de atajo de colector | ICEX | VCE=35V, VEB=0.4V | 0,1 | μA | ||
Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | μA | ||
Aumento actual de DC |
hFE1 | VCE=1V, IC=0.1mA | 20 | |||
hFE2 | VCE=1V, IC=1mA | 40 | ||||
hFE3 | VCE=1V, IC=10mA | 80 | ||||
hFE4 | VCE=1V, IC=150mA | 100 | 300 | |||
hFE5 | VCE=2V, IC=500mA | 40 | ||||
voltaje de saturación del Colector-emisor |
VCE (sentado) |
IC=150mA, IB=15mA | 0,4 | V | ||
IC=500mA, IB=50mA | 0,75 | V | ||||
Voltaje de saturación del emisor de base |
VBE (sentado) |
IC=150mA, IB=15mA | 0,95 | V | ||
IC=500mA, IB=50mA | 1,2 | V | ||||
Frecuencia de la transición | fT | VCE=10V, IC=20mA, f =100MHz | 250 | Megaciclo | ||
Tiempo de retraso | td |
VCC=30V, VBE (apagado) =-2V IC=150mA, IB1=15mA |
15 | ns | ||
Tiempo de subida | tr | 20 | ns | |||
Tiempo de almacenamiento | ts |
VCC=30V, IC=150mA IB1=IB2=15mA |
225 | ns | ||
Tiempo de caída | tf | 60 | ns |
Medido bajo condiciones pulsadas, pulso width=300μs, deber el cycle≤2%.
Characterisitics típico
Dimensiones del esquema del paquete
Símbolo | Dimensiones en milímetros | Dimensiones en pulgadas | ||
Minuto | Máximo | Minuto | Máximo | |
A | 0,900 | 1,150 | 0,035 | 0,045 |
A1 | 0,000 | 0,100 | 0,000 | 0,004 |
A2 | 0,900 | 1,050 | 0,035 | 0,041 |
b | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
c | 0,080 | 0,150 | 0,003 | 0,006 |
D | 2,800 | 3,000 | 0,110 | 0,118 |
E | 1,200 | 1,400 | 0,047 | 0,055 |
E1 | 2,250 | 2,550 | 0,089 | 0,100 |
e | 0,950 TIPOS | 0,037 TIPOS | ||
e1 | 1,800 | 2,000 | 0,071 | 0,079 |
L | 0,550 REFERENCIAS | 0,022 REFERENCIAS | ||
L1 | 0,300 | 0,500 | 0,012 | 0,020 |
θ | 0° | 8° | 0° | 8° |
Persona de Contacto: David