Datos del producto:
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Nombre del producto: | transistor de poder del mosfet | VDS: | 30V |
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Número de modelo: | 5G03SIDF | Aplicación: | circuitos de alta frecuencia |
Función: | Carga baja de la puerta | VGS: | +-12V |
Alta luz: | interruptor de gran intensidad del mosfet,transistor de alto voltaje |
MOSFET del modo del aumento de 5G03SIDF 30V N+P-Channel
Descripción
El foso avanzado de las aplicaciones 5G03S/DF
tecnología para proporcionar R excelenteDS(ENCENDIDO) y carga baja de la puerta.
Los MOSFETs complementarios se pueden utilizar para formar a
el nivel desplazó el alto interruptor lateral, y para un anfitrión de otro
usos
Características generales
Canal N
VDS = 30V, ID =8A
RDS(ENCENDIDO)< 20m=""> GS=10V
P-canal
VDS = -30V, ID = -6.2A
RDS(ENCENDIDO)< -50m=""> GS=-10V
Uso
Uso de la transferencia del poder
Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
Sistema de alimentación ininterrumpida
Marca del paquete e información el ordenar
Nota:
1, grado repetidor: Anchura pulsada limitada por temperatura de empalme máxima.
2, VDD=25V, VGS=10V, L=0.1mH, IAS=17A., RG=25, comenzando TJ=25℃.
3, los datos probados por pulsado, ≦ 300us, ≦ el 2%. 4, esencialmente independientede la anchura de pulso del ciclo de trabajo de la temperatura de funcionamiento.
Persona de Contacto: David