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Datos del producto:
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Nombre del producto: | transistor del interruptor | modelo: | AP12N10D |
---|---|---|---|
Paquete: | TO-252 | Marcado: | AP12N10D |
Voltaje de la VDSDrain-fuente: | 100V | Voltaje del rce de VGSGate-Sou: | ±20A |
Alta luz: | transistor del mosfet del canal N,transistor de alto voltaje |
Transistor del interruptor de AP12N10D, transistor de poder original del silicio
Descripción general:
La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones de AP12N10D
para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y
operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 4.5V. Esto
el dispositivo es conveniente para el uso como a
Protección de la batería o en el otro uso de la transferencia.
Características generales
VDS = 100V IDENTIFICACIÓN = 5A
RDS (ENCENDIDO) < 140m="">
Uso
Protección de la batería
Interruptor de la carga
Sistema de alimentación ininterrumpida
Marca del paquete e información el ordenar
Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
AP12N10D | TO-252 | AP12N10D | 3000 |
Grados máximos absolutos en Tj=25℃ a menos que se indicare en forma diferente
Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Drene el voltaje de la fuente | VDS | 100 | V |
Voltaje de fuente de puerta | VGS | ±20 | V |
Corriente continua del dren, ℃ TC=25 | Identificación | 12 | A |
Corriente pulsada del dren, ℃ de T =25 | Identificación, pulso | 24 | A |
Disipación de poder, ℃ de T C=25 |
P D |
17 | W |
Escoja la energía pulsada de la avalancha 5) | EAS | 1,2 | mJ |
Temperatura de la operación y de almacenamiento | Tstg, Tj | -55 a 150 | ℃ |
Resistencia termal, empalme-caso | RθJC | 7,4 | ℃/W |
Resistencia termal, junction-ambient4) | RθJA | 62 | ℃/W |
Características eléctricas en el ℃ Tj=25 salvo especificación de lo contrario
Símbolo | Parámetro | Condición de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
BVDSS | voltaje de avería de la Dren-fuente | V =0 V, μA ID=250 | 100 | V | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | V =V, μA ID=250 | 1,2 | 1,5 | 2,5 | V |
RDS (ENCENDIDO) | resistencia del en-estado de la Dren-fuente | VGS=10 V, ID=5 A | 110 | 140 | mΩ | |
RDS (ENCENDIDO) | resistencia del en-estado de la Dren-fuente | V =4.5 V, ID=3 A | 140 | 180 | mΩ | |
IGSS |
corriente de la salida de la Puerta-fuente |
V =20 V | 100 |
nA |
||
V =-20 V | -100 | |||||
IDSS | corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS=100 V, VGS=0 V | 1 | UA | ||
CISS | Capacitancia de la entrada | V =0 V, | 206,1 | PF | ||
Coss | Capacitancia de salida | 28,9 | PF | |||
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | 1,4 | PF | |||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura |
VGS=10 V, VDS=50 V, |
14,7 | ns | ||
tr | Tiempo de subida | 3,5 | ns | |||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | 20,9 | ns | |||
t f |
Tiempo de caída | 2,7 | ns | |||
Qg | Carga total de la puerta | 4,3 | nC | |||
Qgs | carga de la Puerta-fuente | 1,5 | nC | |||
Qgd | carga del Puerta-dren | 1,1 | nC | |||
Vplateau | Voltaje de la meseta de la puerta | 5,0 | V | |||
ES | El diodo remite la corriente |
VGS |
7 |
A |
||
ISP | Corriente de fuente pulsada | 21 | ||||
VSD | Voltaje delantero del diodo | IS=7 A, VGS=0 V | 1,0 | V | ||
t rr |
Tiempo de recuperación reversa | 32,1 | ns | |||
Qrr | Carga reversa de la recuperación | 39,4 | nC | |||
Irrm | Corriente de recuperación reversa máxima | 2,1 | A |
Símbolo | Parámetro | Condición de prueba | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
BVDSS | voltaje de avería de la Dren-fuente | V =0 V, μA ID=250 | 100 | V | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral de la puerta | V =V, μA ID=250 | 1,2 | 1,5 | 2,5 | V |
RDS (ENCENDIDO) | resistencia del en-estado de la Dren-fuente | VGS=10 V, ID=5 A | 110 | 140 | mΩ | |
RDS (ENCENDIDO) | resistencia del en-estado de la Dren-fuente | V =4.5 V, ID=3 A | 140 | 180 | mΩ | |
IGSS |
corriente de la salida de la Puerta-fuente |
V =20 V | 100 |
nA |
||
V =-20 V | -100 | |||||
IDSS | corriente de la salida de la Dren-fuente | VDS=100 V, VGS=0 V | 1 | UA | ||
CISS | Capacitancia de la entrada | V =0 V, | 206,1 | PF | ||
Coss | Capacitancia de salida | 28,9 | PF | |||
Crss | Capacitancia reversa de la transferencia | 1,4 | PF | |||
TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura |
VGS=10 V, VDS=50 V, |
14,7 | ns | ||
tr | Tiempo de subida | 3,5 | ns | |||
TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | 20,9 | ns | |||
t f |
Tiempo de caída | 2,7 | ns | |||
Qg | Carga total de la puerta | ID=5 A, VDS=50 V, VGS=10 V |
4,3 | nC | ||
Qgs | carga de la Puerta-fuente | 1,5 | nC | |||
Qgd | carga del Puerta-dren | 1,1 | nC | |||
Vplateau | Voltaje de la meseta de la puerta | 5,0 | V | |||
ES | El diodo remite la corriente |
VGS |
7 |
A |
||
ISP | Corriente de fuente pulsada | 21 | ||||
VSD | Voltaje delantero del diodo | IS=7 A, VGS=0 V | 1,0 | V | ||
t rr |
Tiempo de recuperación reversa | IS=5 A, di/dt=100 A/μs |
32,1 | ns | ||
Qrr | Carga reversa de la recuperación | 39,4 | nC | |||
Irrm | Corriente de recuperación reversa máxima | 2,1 | A |
Atención
1, cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto no tiene especificaciones que puedan manejar los usos que requieren extremadamente niveles de la confiabilidad, tales como sistemas de conectado a una máquina que mantiene las constantes vitales, sistemas del control del avión, u otros usos cuyo fracaso se pueda razonablemente esperar para dar lugar a daño físico y/o material serio. Consúltele con su más cercano representativo de la microelectrónica de APM antes de usar cualesquiera productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto en tales usos.
2, microelectrónica de APM no asume ninguna responsabilidad de los fracasos de equipo que resultan de usar productos en los valores que exceden, incluso momentáneamente, los valores clasificados (tales como grados máximos, la condición de funcionamiento se extiende, u otros parámetros) enumerados en especificaciones de productos de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM descritos o contenidos adjunto.
3, especificaciones de cualquiera y todos los productos de la microelectrónica de APM describieron o contuvieron aquí el instipulate el funcionamiento, las características, y las funciones de los productos descritos en el estado independiente, y no son garantías del funcionamiento, de las características, y de las funciones de los productos descritos según lo montado en los productos o el equipo del cliente. Para verificar los síntomas y los estados que no se pueden evaluar en un dispositivo independiente, el cliente debe evaluar y probar siempre los dispositivos montados en los productos o el equipo del cliente.
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Persona de Contacto: David